职位描述

职位描述：

1、负责功率MOSFET/IGBT/SiC MOS其中之一类产品的研发工作；

2、功率器件结构设计以及相应的TCAD仿真和电性仿真；

3、器件版图Layout绘制；

4、制定工程DOE并和Fab进行对接；

5、产品化和可靠性提升。

任职要求：

1、统招硕士及以上学历；

2、微电子、电子信息工程、电气工程及自动化、通信工程、集成电路等相关专业；

3、具备扎实的半导体器件物理理论知识；

4、熟悉功率器件结构设计以及相应的TCAD仿真和电性仿真；

5、喜欢钻研技术、具有较强的逻辑分析能力、团队协作能力和沟通能力。

薪资福利：

薪资范围15~25K（另有专利奖、新品奖、项目奖等），缴纳五险一金，提供专业培训，年度体检，绩效奖金，节日福利，团建活动，免费工作餐。

职位信息

• 职位名称

  功率器件研发工程师
• 薪资范围

  -
• 职位性质

  全职
• 职能类型

  仿真应用工程师
• 发布日期

  2025-08-27